Samsung annonce une DRAM DDR5 en 12 nm

Image : Samsung.

Samsung a annoncé ce mardi la mise au point d’une « double data rate 5 » (DDR5) DRAM fabriquée avec un nœud de processus de 12 nanomètres (nm).

Selon le géant technologique sud-coréen, la DRAM DDR5 de 16 Go en 12 nm a été vérifiée avec le fabricant de processeurs AMD, et sa production de masse devrait commencer l’année prochaine.

12 nm

L’annonce de Samsung est toutefois inhabituelle. En effet, lorsque les fabricants de puces annoncent une nouvelle puce, ils désignent généralement le processus utilisé pour sa fabrication par le terme « 10 nm class », c’est-à-dire des nœuds d’une taille comprise entre 10 et 19 nm, ou par leur propre jargon, sans en préciser la valeur exacte. Cette fois pourtant, Samsung a bien précisé que le nœud de processus utilisé était de 12 nm.

La dernière DRAM de Samsung, pour utiliser son propre terme, est fabriquée avec son nœud de processus 10 nm de cinquième génération. Si le géant coréen met en avant cette valeur numérique de 12 nm, c’est donc probablement pour vanter son avance sur ses concurrents dans la catégorie 10 nm.

Cependant, il est difficile de connaître la taille et la densité réelles des transistors entre les puces fabriquées par différentes sociétés sans effectuer de test, indépendamment des noms utilisés pour les désigner à des fins marketing, et elles peuvent différer considérablement les unes des autres.

Une productivité augmentée de 20 %

En ce qui concerne sa DRAM DDR5 de 16 Go en 12 nm, Samsung précise avoir utilisé un nouveau matériau à haute teneur en carbone, pour augmenter le volume du condensateur, et appliqué de nouvelles conceptions pour compléter le nouveau nœud de processus. Avant d'ajouter que la lithographie à ultraviolets extrêmes (EUV) a été appliquée, pour atteindre la densité « la plus élevée du secteur ».

Ces changements ont permis d'augmenter la productivité de 20 % par rapport à la génération précédente de DRAM, ce qui signifie qu’il est possible d’en fabriquer davantage par plaquette.

La puce affiche une vitesse maximale de 7,2 Gb/s, ce qui signifie qu’elle peut traiter 60 Go de données par seconde. Sa consommation d’énergie a été améliorée de 23 % par rapport à la précédente génération.

Samsung prévoit de lancer d’autres produits dans sa gamme de DRAM en 12 nm pour des applications dans les centres de données, l’intelligence artificielle et le calcul haute performance.

Source : ZDNet.com